casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / MSDM50-12
Número de pieza del fabricante | MSDM50-12 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MSDM50-12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSDM50-12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 150A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | M2-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM50-12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSDM50-12-FT |
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1005G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1006G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1007G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU402G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel