casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-ETH3006STRR-M3
Número de pieza del fabricante | VS-ETH3006STRR-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-ETH3006STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-ETH3006STRR-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.65V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 26ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETH3006STRR-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-ETH3006STRR-M3-FT |
MBRB1090-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel