casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-4ECH06-M3/9AT
Número de pieza del fabricante | VS-4ECH06-M3/9AT |
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Número de parte futuro | FT-VS-4ECH06-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-4ECH06-M3/9AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.85V @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 22ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4ECH06-M3/9AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-4ECH06-M3/9AT-FT |
S3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation