casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S3BHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | S3BHE3_A/I |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S3BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3BHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 2.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S3BHE3_A/I-FT |
SL44HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3K-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel