casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-20CTQ150STRR-M3
Número de pieza del fabricante | VS-20CTQ150STRR-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-20CTQ150STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-20CTQ150STRR-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 880mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 150V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ150STRR-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20CTQ150STRR-M3-FT |
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
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EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel