casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VBT3080C-M3/8W
Número de pieza del fabricante | VBT3080C-M3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VBT3080C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT3080C-M3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 820mV @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 700µA @ 80V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3080C-M3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBT3080C-M3/8W-FT |
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
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XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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