casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-182NQ030PBF
Número de pieza del fabricante | VS-182NQ030PBF |
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Número de parte futuro | FT-VS-182NQ030PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-182NQ030PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 180A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 590mV @ 180A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 15mA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 7700pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D-67 HALF-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-67 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-182NQ030PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-182NQ030PBF-FT |
BYM11-1000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel