casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYM11-1000HE3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYM11-1000HE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYM11-1000HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM11-1000HE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 500ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM11-1000HE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM11-1000HE3_A/I-FT |
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/I
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BYG20DHE3_A/H
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BYG20DHE3_A/I
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHM3_A/I
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BYG20GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
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EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel