casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / VQ1006P-E3
Número de pieza del fabricante | VQ1006P-E3 |
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Número de parte futuro | FT-VQ1006P-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VQ1006P-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 4 N-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 90V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 400mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 14-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VQ1006P-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VQ1006P-E3-FT |
IRFHM8363TRPBF
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