casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN2110K1-G
Número de pieza del fabricante | VN2110K1-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VN2110K1-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2110K1-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2110K1-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VN2110K1-G-FT |
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN8R0-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN8R2-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-100YSFX
Nexperia USA Inc.
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel