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NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115

Name: PSMN8R0-30YL,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R0-30YL,115
Availability: InStock
Rating: 4.6 (435 reviews)

Número de pieza de MFG: PSMN8R0-30YL,115

Cantidad disponible: 68340 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PSMN8R0-30YL,115.pdf

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PSMN8R0-30YL,115 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PSMN8R0-30YL,115
Número de parte futuro	FT-PSMN8R0-30YL,115
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PSMN8R0-30YL,115 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	62A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1005pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja	SC-100, SOT-669
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R0-30YL,115 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PSMN8R0-30YL,115-FT

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