casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN0550N3-G-P013
Número de pieza del fabricante | VN0550N3-G-P013 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VN0550N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN0550N3-G-P013 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 55pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN0550N3-G-P013 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VN0550N3-G-P013-FT |
DN2540N3-G
Microchip Technology
TN0604N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
Microchip Technology
VN0109N3-G
Microchip Technology
TN5325N3-G
Microchip Technology
VN0104N3-G
Microchip Technology
ZVN4310A
Diodes Incorporated
DN2530N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G
Microchip Technology
TP2104N3-G
Microchip Technology
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation