casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / LND150N3-G-P003
Número de pieza del fabricante | LND150N3-G-P003 |
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Número de parte futuro | FT-LND150N3-G-P003 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LND150N3-G-P003 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 740mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150N3-G-P003 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LND150N3-G-P003-FT |
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