casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VBO19-12NO7
Número de pieza del fabricante | VBO19-12NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VBO19-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO19-12NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 21A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.12V @ 7A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Slim-PAC |
Paquete del dispositivo del proveedor | Slim-PAC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO19-12NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBO19-12NO7-FT |
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
MB14M-BP
Micro Commercial Co
MB16M-BP
Micro Commercial Co
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
MB2M-G
Comchip Technology
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation