Número de pieza del fabricante | MB2M-G |
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Número de parte futuro | FT-MB2M-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB2M-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB2M-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB2M-G-FT |
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304-BP
Micro Commercial Co
KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQ208I
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
Intel
EPF10K200SBC600-2
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC4013E-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C4N
Intel