casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB30120SG-E3/8W
Número de pieza del fabricante | VB30120SG-E3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB30120SG-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30120SG-E3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.28V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30120SG-E3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB30120SG-E3/8W-FT |
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel