casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRB16H35HE3_A/P
Número de pieza del fabricante | MBRB16H35HE3_A/P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBRB16H35HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H35HE3_A/P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 660mV @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H35HE3_A/P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB16H35HE3_A/P-FT |
BAT82S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT83S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel