casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V8PM12-M3/86A
Número de pieza del fabricante | V8PM12-M3/86A |
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Número de parte futuro | FT-V8PM12-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PM12-M3/86A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 840mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM12-M3/86A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V8PM12-M3/86A-FT |
V10PM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PN50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel