casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V12P10HM3_A/I
Número de pieza del fabricante | V12P10HM3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-V12P10HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P10HM3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.9A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 830mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 400µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10HM3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V12P10HM3_A/I-FT |
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel