casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USR0J101MDD1TE
Número de pieza del fabricante | USR0J101MDD1TE |
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Número de parte futuro | FT-USR0J101MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USR |
USR0J101MDD1TE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 6.3V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 78mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 117mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR0J101MDD1TE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USR0J101MDD1TE-FT |
UST1E330MDD1TE
Nichicon
UST1E330MDD1TP
Nichicon
UST1V220MDD1TE
Nichicon
UST1V220MDD1TP
Nichicon
UST1A470MDD
Nichicon
USR1H010MDD
Nichicon
USR1E100MDD1TP
Nichicon
USR1H010MDD1TP
Nichicon
USR1H4R7MDD1TP
Nichicon
USR1C220MDD
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation