casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / USR1H4R7MDD1TP
Número de pieza del fabricante | USR1H4R7MDD1TP |
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Número de parte futuro | FT-USR1H4R7MDD1TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USR |
USR1H4R7MDD1TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 28mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 42mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1H4R7MDD1TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | USR1H4R7MDD1TP-FT |
USW1H4R7MDD1TP
Nichicon
USW1V100MDD1TE
Nichicon
USW1V100MDD1TP
Nichicon
USW1V220MDD1TE
Nichicon
USW1V220MDD1TP
Nichicon
USW1V330MDD1TE
Nichicon
USW1V330MDD1TP
Nichicon
USW1V4R7MDD1TE
Nichicon
USW1V4R7MDD1TP
Nichicon
USW1H0R1MDD1TE
Nichicon
XC7S6-2FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
10CL040YU484C8G
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC6VLX240T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation