casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / UGB5JT-E3/81
Número de pieza del fabricante | UGB5JT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-UGB5JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB5JT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.75V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB5JT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UGB5JT-E3/81-FT |
MBRB16H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB745
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel