casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWW3JR20E
Número de pieza del fabricante | TWW3JR20E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TWW3JR20E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW3JR20E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 200 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±400ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR20E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWW3JR20E-FT |
WHD15RFET
Ohmite
WHD1K0FET
Ohmite
WHDR10FET
Ohmite
WND15RFET
Ohmite
WND1K0FET
Ohmite
WND250FET
Ohmite
WND560FET
Ohmite
TWW5J1R0E
Ohmite
TWW5J8R2E
Ohmite
TWW5JR30E
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel