casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / WND1K0FET
Número de pieza del fabricante | WND1K0FET |
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Número de parte futuro | FT-WND1K0FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND1K0FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 kOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND1K0FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WND1K0FET-FT |
ERD-S1TJ151V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ150V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ135V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ134V
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ERD-S1TJ133V
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ERD-S1TJ132V
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ERD-S1TJ131V
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ERD-S1TJ130V
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ERD-S1TJ125V
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ERD-S1TJ124V
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XC6SLX100-2FG484C
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LCMXO2280E-5FTN256C
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5SGXEA9K2H40I2LN
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5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
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A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
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LFXP2-8E-6MN132C
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10AX090H2F34E2LG
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