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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G

Name: TSM60NB099PW C1G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB099PW C1G
Price: 5.616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM60NB099PW C1G

Cantidad disponible: 31630 Piezas

Precio de referencia: USD 5.616

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM60NB099PW C1G.pdf

TSM60NB099PW C1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM60NB099PW C1G
Número de parte futuro	FT-TSM60NB099PW C1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM60NB099PW C1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	38A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2587pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	329W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB099PW C1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM60NB099PW C1G-FT

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