casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT68M8LSS-13
Número de pieza del fabricante | DMT68M8LSS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMT68M8LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT68M8LSS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28.9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2107pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.9W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT68M8LSS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT68M8LSS-13-FT |
DMN4009LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4015LK3-13
Diodes Incorporated
DMN60H3D5SK3-13
Diodes Incorporated
DMN60H4D5SK3-13
Diodes Incorporated
DMP3025LK3-13
Diodes Incorporated
DMP3025LK3-13-01
Diodes Incorporated
DMPH6050SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH10H025LK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A25K
Diodes Incorporated
ZXMN3A04KTC
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel