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DMT68M8LSS-13 Image

Diodes Incorporated DMT68M8LSS-13

Número de pieza de MFG
DMT68M8LSS-13
Cantidad disponible
51310 Piezas
Precio de referencia
USD 0.19888
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-DMT68M8LSS-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMT68M8LSS-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2107pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT68M8LSS-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMT68M8LSS-13-FT

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