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Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13

Name: DMN60H4D5SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H4D5SK3-13
Price: 0.192024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (396 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN60H4D5SK3-13

Cantidad disponible: 15040 Piezas

Precio de referencia: USD 0.192024

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN60H4D5SK3-13.pdf

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Número de pieza del fabricante	DMN60H4D5SK3-13
Número de parte futuro	FT-DMN60H4D5SK3-13
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN60H4D5SK3-13 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	273.5pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN60H4D5SK3-13 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN60H4D5SK3-13-FT

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