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TSM60NB041PW C1G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G

Número de pieza de MFG
TSM60NB041PW C1G
Cantidad disponible
98320 Piezas
Precio de referencia
USD 9.816
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Fecha de envío
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM60NB041PW C1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 78A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6120pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB041PW C1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TSM60NB041PW C1G-FT

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