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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CZ C0G

Número de pieza de MFG
TSM4NB60CZ C0G
Cantidad disponible
18180 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM4NB60CZ C0G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 500pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4NB60CZ C0G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TSM4NB60CZ C0G-FT

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