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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4800N15CX6 RFG

Name: TSM4800N15CX6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM4800N15CX6 RFG
Price: 0.155624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (24 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM4800N15CX6 RFG

Cantidad disponible: 74090 Piezas

Precio de referencia: USD 0.155624

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fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM4800N15CX6 RFG.pdf

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TSM4800N15CX6 RFG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM4800N15CX6 RFG
Número de parte futuro	FT-TSM4800N15CX6 RFG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM4800N15CX6 RFG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	332pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-26
Paquete / Caja	SOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4800N15CX6 RFG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM4800N15CX6 RFG-FT

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