casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM260P02CX6 RFG
Número de pieza del fabricante | TSM260P02CX6 RFG |
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Número de parte futuro | FT-TSM260P02CX6 RFG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM260P02CX6 RFG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1670pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.56W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-26 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM260P02CX6 RFG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM260P02CX6 RFG-FT |
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel