casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM180N03CS RLG
Número de pieza del fabricante | TSM180N03CS RLG |
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Número de parte futuro | FT-TSM180N03CS RLG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM180N03CS RLG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 345pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM180N03CS RLG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM180N03CS RLG-FT |
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB190CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13N50ACZ C0G
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TSM210N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60N380CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM6NB60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation