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Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04LCR RLG

Name: TSM033NB04LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM033NB04LCR RLG
Price: 0.655312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (441 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM033NB04LCR RLG

Cantidad disponible: 81190 Piezas

Precio de referencia: USD 0.655312

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fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM033NB04LCR RLG.pdf

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TSM033NB04LCR RLG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM033NB04LCR RLG
Número de parte futuro	FT-TSM033NB04LCR RLG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM033NB04LCR RLG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Ta), 121A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4456pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.1W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM033NB04LCR RLG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM033NB04LCR RLG-FT

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