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TSM60NB1R4CP ROG Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG

Número de pieza de MFG
TSM60NB1R4CP ROG
Cantidad disponible
69130 Piezas
Precio de referencia
USD 0.30744
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM60NB1R4CP ROG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.12nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 257.3pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB1R4CP ROG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TSM60NB1R4CP ROG-FT

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