casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH5900CNH,L1Q
Número de pieza del fabricante | TPH5900CNH,L1Q |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TPH5900CNH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPH5900CNH,L1Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600pF @ 75V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH5900CNH,L1Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPH5900CNH,L1Q-FT |
SSM3J355R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J331R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J332R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J358R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K324R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K335R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K336R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K341R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K344R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K345R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation