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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R,LF

Número de pieza de MFG
SSM3J358R,LF
Cantidad disponible
75330 Piezas
Precio de referencia
USD 0.0792
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSVII SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SSM3J358R,LF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVII
SSM3J358R,LF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.1 mOhm @ 6A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 38.5nC @ 8V
Vgs (Max) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1331pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja SOT-23-3 Flat Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J358R,LF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SSM3J358R,LF-FT

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