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Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL,LQ

Name: TPH3R003PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH3R003PL,LQ
Price: 0.36512 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (294 reviews)

Número de pieza de MFG: TPH3R003PL,LQ

Cantidad disponible: 91900 Piezas

Precio de referencia: USD 0.36512

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPH3R003PL,LQ.pdf

TPH3R003PL,LQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPH3R003PL,LQ
Número de parte futuro	FT-TPH3R003PL,LQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TPH3R003PL,LQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	88A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 44A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3825pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3R003PL,LQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPH3R003PL,LQ-FT

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