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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318T,LF

Name: SSM3K318T,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318T,LF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (76 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM3K318T,LF

Cantidad disponible: 96320 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM3K318T,LF.pdf

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SSM3K318T,LF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SSM3K318T,LF
Número de parte futuro	FT-SSM3K318T,LF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
SSM3K318T,LF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	235pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TSM
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K318T,LF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM3K318T,LF-FT

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