casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH3207WS
Número de pieza del fabricante | TPH3207WS |
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Número de parte futuro | FT-TPH3207WS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPH3207WS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2197pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 178W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3207WS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPH3207WS-FT |
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