casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD2E001DRYR
Número de pieza del fabricante | TPD2E001DRYR |
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Número de parte futuro | FT-TPD2E001DRYR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD2E001DRYR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canales unidireccionales | 2 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 11V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | Yes |
Aplicaciones | Ethernet |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SON (1.45x1) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRYR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD2E001DRYR-FT |
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF10G7M1N,LF
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DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
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DF2S6.2ASL,L3F
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DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000HE-6TG144I
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A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel