casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / DF10G6M4N,LF
Número de pieza del fabricante | DF10G6M4N,LF |
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Número de parte futuro | FT-DF10G6M4N,LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10G6M4N,LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 4 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 5.6V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 25V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 2A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 30W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 0.2pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 10-UFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-DFN (2.5x1) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10G6M4N,LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF10G6M4N,LF-FT |
SESD0402S-005-054
Littelfuse Inc.
SESD0201C-006-058
Littelfuse Inc.
SESD0201C-120-058
Littelfuse Inc.
LXES1TBBB2-013
Murata Electronics North America
LXES1TBCC2-004
Murata Electronics North America
DF3A6.8LFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel