casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD2E001DRSR
Número de pieza del fabricante | TPD2E001DRSR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TPD2E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD2E001DRSR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canales unidireccionales | 2 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 11V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | Yes |
Aplicaciones | Ethernet |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SON-EP (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRSR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD2E001DRSR-FT |
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08-TQ144
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XC3S200-5FTG256C
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XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
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5CGXFC4C6F27C6N
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EP1K100FC256-3N
Intel
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LCMXO2-7000ZE-2FTG256C
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