casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / DF2S8.2ASL,L3F
Número de pieza del fabricante | DF2S8.2ASL,L3F |
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Número de parte futuro | FT-DF2S8.2ASL,L3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF2S8.2ASL,L3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 6.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 7.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 20pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0201 (0603 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | SL2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2S8.2ASL,L3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF2S8.2ASL,L3F-FT |
DF5A6.8LJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8AFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel