casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / DF2S8.2ASL,L3F
Número de pieza del fabricante | DF2S8.2ASL,L3F |
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Número de parte futuro | FT-DF2S8.2ASL,L3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF2S8.2ASL,L3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 6.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 7.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 20pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0201 (0603 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | SL2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2S8.2ASL,L3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF2S8.2ASL,L3F-FT |
DF5A6.8LJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6FS,L3M
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DF2S30FS,L3M
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DF2B6.8AFS,L3M
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AFS600-1FG256K
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AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
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EP3SE50F484I4L
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10M50SAE144I7G
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5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel