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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8201(TE85L,F,M
- Número de pieza de MFG
- TPCF8201(TE85L,F,M
- Cantidad disponible
- 27320 Piezas
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- USD 0
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- - MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPCF8201(TE85L,F,M.pdf
TPCF8201(TE85L,F,M Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPCF8201(TE85L,F,M |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPCF8201(TE85L,F,M |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| TPCF8201(TE85L,F,M Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Potencia - max | 330mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete del dispositivo del proveedor | VS-8 (2.9x1.5) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPCF8201(TE85L,F,M Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPCF8201(TE85L,F,M-FT |
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