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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM)

Name: TPCC8008(TE12L,QM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8008(TE12L,QM)
Price: 0.34944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (41 reviews)

Número de pieza de MFG: TPCC8008(TE12L,QM)

Cantidad disponible: 46090 Piezas

Precio de referencia: USD 0.34944

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPCC8008(TE12L,QM).pdf

TPCC8008(TE12L,QM) Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPCC8008(TE12L,QM)
Número de parte futuro	FT-TPCC8008(TE12L,QM)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TPCC8008(TE12L,QM) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1A
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1600pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8008(TE12L,QM) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPCC8008(TE12L,QM)-FT

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