casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPCA8011-H(TE12LQM
Número de pieza del fabricante | TPCA8011-H(TE12LQM |
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Número de parte futuro | FT-TPCA8011-H(TE12LQM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIII-H |
TPCA8011-H(TE12LQM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2900pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCA8011-H(TE12LQM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPCA8011-H(TE12LQM-FT |
SIR690DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR774DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR798DP-T1-GE3
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SIR820DP-T1-GE3
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SIR826DP-T1-RE3
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SIR870ADP-T1-RE3
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SIR871DP-T1-GE3
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SIR872ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA52DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel