casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR820DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIR820DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIR820DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIR820DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3512pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 37.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR820DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIR820DP-T1-GE3-FT |
RJK2055DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2057DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2555DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2557DPA-WS#J0
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RJK4006DPD-WS#J2
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RJK4532DPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJK5006DPD-WS#J2
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RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel