casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TP5335K1-G
Número de pieza del fabricante | TP5335K1-G |
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Número de parte futuro | FT-TP5335K1-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TP5335K1-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 350V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 85mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP5335K1-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TP5335K1-G-FT |
PH9030L,115
NXP USA Inc.
PH955L,115
Nexperia USA Inc.
PH9930L,115
NXP USA Inc.
PSMN010-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN010-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN013-100YSEX
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation