casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN011-80YS,115
Número de pieza del fabricante | PSMN011-80YS,115 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN011-80YS,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN011-80YS,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 67A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 117W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN011-80YS,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN011-80YS,115-FT |
BUK7Y28-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y29-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y2R0-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y2R5-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y35-55B,115
NXP USA Inc.
BUK7Y38-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R0-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R0-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R5-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y43-60EX
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel