casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TP2104K1-G
Número de pieza del fabricante | TP2104K1-G |
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Número de parte futuro | FT-TP2104K1-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TP2104K1-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP2104K1-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TP2104K1-G-FT |
PSMN011-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN013-100YSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN014-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel